IT之家 7 月 31 日音书，韩媒 ZDNet Korea 报谈称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版块尚未得到量产许可，对平泽 P4 工场的产线诞生诡计形成了影响。

三星电子本年 4 月晓谕其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版块收尾量产，对应的 QLC 版块则将于本年下半年干与量产阶段。

干系词直到当今，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、资本更低的 QLC 闪存目下恰是 AI 推理职业器存储需求的热门。

明星居品远景不解，使得三星电子里靠近是否将平泽 P4 工场第一阶段全皆用于 NAND 分娩存在不同声息。

▲ 三星电子平泽园区

凭证三星电子此前的诡计，平泽 P4 工场将成为一个详细性的半导体分娩中心，其包含四个阶段，可制造逻辑、NAND、DRAM 等居品，

其中 P4 工场的第一阶段用于 NAND 分娩、第二阶段用于逻辑代工、第三和第四阶段用于 DRAM 制造。

不外由于晶圆代工订单数目不及，而以 HBM 为代表的 DRAM 内存居品需求火爆，三星电子已于上半年革新了平泽 P4 工场投资联想，先行诞生 DRAM 内存产线，延后逻辑代工线诞生。

三星电子目下在平泽 P4 工场第一阶段的 NAND 产能为每月 10000 片晶圆，此前提议了到来岁将月度晶圆投片量进步至 45000 片的指标。

但 V9 QLC NAND 并未实时得到量产许可，导致有里面东谈主士觉得应该将第一阶段的部分诞生面积用于远景更明确的 DRAM 分娩。

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